LED销售必备:12个问题搞懂B2B客户的真实意图(下)12个问题搞懂LED行业B2B客户的真实意图(上)三、销售后期4个问题决定你要破釜沉舟还是静观其变?下午刚上班,销售小将珊珊又一脸惶恐地走进了我的办公室。看着愁眉苦脸的珊珊,我急忙问道: 是不是光明银行那个项目出岔子了?岔子倒没出,不过客户下周二开董事会做最终决策,我心里没底,想和你讨论一下。我心里咯噔一下,一个大项目到现在这个阶段,如果你觉得是你的,未必是你的;但如果你觉得不是你的,一定不是你的。投光灯。最近客户中有没有人突然给你提出你解决不了的问题? 你怎么知道? 珊珊很惊讶,最近他们电气组的一位副总工,提出来想用高反射率白色钢板反射器,你知道我们的产品在这方面不是强项,我们平时都是铝反射器!不过我们已经解释过了,他也没再提出其他的异议。我知道有麻烦了,客户这时提出这样的问题,往往并不是要一个解释,而是要找一个剔除你的理由。好的投光灯有哪些。 客户反复和你确认过价格吗? 我连忙问道。舞台专用地排投光灯。没有,我们报完价后,只和我们确认过一次,问问我们还能不能降。我不知道投光灯十大品牌。我说可以。其实贴片投光灯。客户就没再纠缠。 珊珊似乎不明白我为什么这样问。你看亚明投光灯图片。这个信号更危险,这说明客户根本没把你的价格当回事,因为他们压根就没打算选你。洗墙投光灯。 你多长时间没见他们高层了?他们高层都很忙,两个月前见过他们一位副总,副总让我多和他们的信息部门沟通,之后就再也没有见过。报价的时候,我试图和那个副总联系一下,但是他太忙了,实在没时间见我。移动式投光灯。客户中有没有人明确地表达过一定选你? 我追问到。小型投光灯。 没有吧,他们只是说,我们很不错,他们会重点考虑。室外投光灯。 珊珊答道。从现在情况来看,你肯定没戏了!他们只是把你当成参考,而不是一位备选供应商,你唯一的作用就是来证明你的竞争对手做得多么好。听说led。 我叹了口气。我不知道新款。在项目后期,如果你能够准确判断出自己占有优势,要做的事情就是把自己的价格和客户的风险建立紧密的链接,防止对手孤注一掷。反之,如果你判断自己处于劣势,则要尽量拖慢决策的步伐甚至要想方设法让项目停下来,手段自然就是通过项目风险扩大客户的担忧。多功能b型投光灯。因此,此阶段4个问题决定你要破釜沉舟还是静观其变? 1、有没有突然地异议这里的异议,是指在项目后期突然出现的,你的产品解决不了的问题,或者干脆就是对价格的不满。

未来紫光LED晶片将成LED照明研究重点上世纪末,半导体照明开始出现并快速发展,其中一个核心前提是蓝光GaN基发光材料的生长和器件结构的制备,而未来材料和器件结构技术的水平也终将决定半导体照明技术的高度。对于led投光灯定额。就GaN基材料及器件衍生出设备、源材料、器件设计、芯片技术、芯片应用等五大部分进行分析。设备在当前无法制备大块GaN单晶材料的情况下,MOCVD即金属有机物化学气相沉积设备仍是GaN材料异质外延最关键设备。听听led新款投光灯。当前商用MOCVD设备市场主要由国际两大巨头掌握,在此局面我国MOCVD仍取得较大发展,并且出现48片机。学习投光灯大小。但我们仍需要认识到国内MOCVD的缺点。投光灯安装。对于MOCVD,一般而言,研究型设备的重点是温度控制,商业化设备是均匀性、重复性等。投光灯组。在低温下,可以生长高In组分InGaN,适合氮化物体系材料在橙黄光、红光、红外等长波长的应用,使氮化物应用涵盖整个白光领域;而在1200oC-1500oC高温下,可以生长高Al组分的AlGaN,使得氮化物应用扩展到紫外领域和功率电子器件领域,应用范围获得更大的扩展。对比一下20w投光灯。目前国外已经具有1600oC高温MOCVD设备,可制备出高性能紫外LED和功率器件。投光灯。我国MOCVD仍需长期发展,扩大MOCVD的温度控制范围;对于商用设备不仅要提高性能,更要保证均匀性和规模化。源材料源材料主要包括各种气体材料、金属有机物材料、基板材料等。听说移动式。其中,基板材料是重中之重,直接制约外延薄膜质量。工地投光灯。目前,GaN基LED的衬底越来越多元化,SiC、Si以及GaN等衬底技术逐步提高,部分衬底从2英寸向3英寸、4英寸甚至6英寸、8英寸等大尺寸发展。移动式投光灯。但综合来看,当前性价比最高的仍是蓝宝石;SiC性能优越但价格昂贵;Si衬底的价格、尺寸优势以及与传统集成电路技术衔接的诱惑使得Si衬底仍然是当下最有前景的技术路线之一。事实上投光灯大小。GaN衬底仍需在提高尺寸和降低价格方面下功夫,以便未来在高端绿光激光器和非极性LED应用方面大显身手;金属有机物材料从依赖进口到自主生产,有了很大的进展;其他气体材料也取得长足进步。投光灯。总之,我国在源材料领域获得很大发展。外延外延,即器件结构的获得过程,是最具有技术含量的工艺步骤,直接决定LED的内量子效率。我不知道led新款投光灯。目前半导体照明芯片绝大多数采用多量子阱结构,具体技术路线往往受制于衬底材料。20w充电投光灯。而蓝宝石衬底普遍采用图形衬底(PSS)技术,降低外延薄膜的为错密度提高内量子效率,同时也提高光的出取效率。54w投光灯。未来PSS技术仍是重要的衬底技术,且图形尺寸逐渐向纳米化方向发展。 而利用GaN同质衬底可以采取非极性面或半极性面外延生长技术,部分消除极化电场引起的量子斯塔克效应,在绿光、黄绿光、红橙光GaN基LED应用方面具有非常重要的意义。你看大小。另外,当前的外延普遍是制备单发光波长量子阱,采用适当外延技术,可以制备多波长发射的LED,即单芯片白光LED,这也是很有前景的技术路线之一。机场投光灯。其中,具有代表性的如用InGaN量子阱中相分离,实现了高In组分InGaN黄光量子点和蓝光量子阱组合发出白光。此外,还有利用多重量子阱发光实现宽光谱发光模式,以此实现单芯片白光输出,但是该白光的显色指数还比较低。无萤光粉单芯片白光LED是很具吸引力的发展方向,如果能实现高效率和高显色指数,将会改变半导体照明的技术链。在量子阱结构方面,引入电子阻挡层阻挡电子泄露提高发光效率已经成为LED外延结构的常规方法。此外,优化量子阱的势垒和势阱仍将是重要工艺环节,如何调节应力,实现能带裁剪,可以制备不同发光波长的LED。在芯片覆盖层方面,如何提高p型层的材料质量、p型层空穴浓度、导电性能和解决大电流下droop效应仍然是当务之急。

4、一体化散热结构计，产品外形美观，表面防腐处理，配合严密结构紧凑主体采用超强散热片压铸铝结构，
3、外观造型新颖、时尚

2、主要用于建筑立面照明、绿化树木照明及舞台灯光照明

1、投光灯系列特有的防水设计，
5000k

22.5

L23.9xW31.9xH4.6

600W

AC85-220V

DG5251B

5000k

15.5

L23.9xW20.1xH4.6

400W

AC85-220V

DG5251A

5000k

L20xW14.4xH3.6

200W

AC85-220V

DG5251

重量(kg)

灯具尺寸(英寸)

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产品型号